可先用萬(wàn)用表的電阻檔（數字式萬(wàn)用表的二極管檔、指針式萬(wàn)用表R*100或R*1檔），分別測量R、S、T 3個(gè)電源端子對+、—端子之間的電阻值，其他驅動(dòng)器直流回路正、負端標注為P、N，打開(kāi)機器外殼后在主電路或電路板上可找到測量點(diǎn)。另外，直流回路的儲能電容是個(gè)比較顯眼的元件，由R、S、T端子直接搭接儲能電容的正、負極進(jìn)行電阻測量，也比較方便。
R、S、T 3個(gè)電源端子對+、-端子之間的電阻值，反映了三相整流電路的好壞，而U、V、W 3個(gè)輸出端子對+、—端子之前的電阻值，則能基本上反映IGBT模塊的好壞。將整流和逆變輸出電路簡(jiǎn)化一下，輸入、輸出端子與直流回路之間的測量結果便會(huì )一目了然。
VD1~VD6為輸入三相整流電路，R為充電電阻，KM為充電接觸器。C1、C2為串聯(lián)儲能電容。VD7~VD12為三相逆變電路中6只二極管。IGBT除非在漏電和短路狀態(tài)能沒(méi)出電阻變化，對逆變輸出電路我們能實(shí)際測出的只是6只二極管的正、反電阻值。這樣一來(lái)，整個(gè)驅動(dòng)器主電路的輸入整流和輸出逆變電路，相當于兩個(gè)三相橋式整流電路。
用數字式萬(wàn)用表測量二極管，將R、S、T搭接紅表筆，P(+)端搭接黑表筆，測得的是整流二極管VD1、VD3、VD5的正向壓降，為0.5V左右，數值顯示為540；如將表筆反接，則所測壓降為無(wú)窮大。如用指針式萬(wàn)用表，黑表筆搭接R、S、T端，紅表筆搭接P(+)端，則顯示7KR正向電阻；表筆反接，則顯示數百KR。因充電電阻的阻值一般很小，如圖3-1所示電路，僅為幾歐，小功率機型為幾十歐，測量中可將其忽略不計。但測其R、P1正向電阻正常，而R、P(+)之間正向電阻無(wú)窮大（或直接測量KM常開(kāi)觸頭之間電阻為無(wú)窮大），則為充電電阻已經(jīng)開(kāi)路了。
整流電路中VD2、VD4、VD6及U、V、W端子對P(+)、N(-)端子之間的測量，也只能通過(guò)測量?jì)炔慷O管的正反向電阻的情況來(lái)大致判定IGBT的好壞。
需要說(shuō)明的是，橋式整流電路用的是低頻整流二極管模塊，正向壓降和正向電阻較大，同于一般硅整流二極管。而IGBT上反向并聯(lián)的6只二極管是調整二極管，正向壓降和正向電阻較小，正向壓降為0.35V左右，指針式萬(wàn)用表測量正向電阻為4KR左右。
以上說(shuō)到對端子電阻的測量只是大致判定IGBT的好壞，尚不能最后認定IGBT就是好的，簡(jiǎn)易測量后，就對客戶(hù)說(shuō)，輸出模塊是好的，會(huì )給自己帶來(lái)極大的被動(dòng)，IGBT的好壞還需進(jìn)一步測量驗證。如何檢測IGBT的好壞，得首先從IGBT的結構原理入手，找到相應有效的測量方法，如圖所以為IGBT等效電路和單、雙管模塊引腳圖。
場(chǎng)效應晶體管有開(kāi)關(guān)速度快、電壓控制容易的優(yōu)點(diǎn)，但也有導通壓降大以電壓與電流容量小的缺點(diǎn)。而雙極型器件恰恰有與其相反的特點(diǎn)，如電流控制容易、導通壓降小，功率容量大等，兩者復合，正所謂優(yōu)勢互補。IGBT或IGBT模塊的由來(lái)，即基于此。從結構上看，類(lèi)似于我們都早已熟悉的復合大管，輸出管為一只PNP型晶體管，而激勵管是一只場(chǎng)效應晶體管，后者的漏極電流形成了前者的基極電流，放大能力是兩管之積。
單、又管模塊常在功率機型中得到應用。大功率機型將其并聯(lián)作用，以達到擴流的目的，下圖為單機模塊，將整流與逆變電路集成于一體。另外，有的一體化（集成式）模塊，將制動(dòng)單元和溫度檢測電路也集成在內。
對主電路測量方法有兩種，即在線(xiàn)測量和脫機測量。
1：在線(xiàn)測量
1）上述測量方式是僅從輸入、輸出端子對直流回路之間來(lái)進(jìn)行的，是在線(xiàn)測量方法的一種，對整流電路的開(kāi)路與短路故障則較明顯，但對逆變電路還需進(jìn)一步在線(xiàn)測量以判斷好壞。
2）打開(kāi)驅動(dòng)器外殼，將CPU主板和驅動(dòng)板兩塊電路板取出，直接測量逆變模塊的G1、E1和G2、E2之間的觸發(fā)端子電阻，都應無(wú)窮大。如果驅動(dòng)板未取下，模塊與驅動(dòng)電路相連接的，則G1、E1觸發(fā)端子之間往往并接有10KR電阻（大功率機型3KR左右),則正反電阻值均為10KR。有了正反電阻值的偏差，在排除驅動(dòng)電路的原因后，則證明逆變模塊已經(jīng)損壞。
3）觸發(fā)端子的電阻測量也正常，一般情況下認為逆變模塊基本上是好的，但此時(shí)不能宣布該模塊絕對沒(méi)有問(wèn)題。
2：脫機測量
1）此法常用于大功率單、雙管和新購進(jìn)一體驅動(dòng)模塊的測量。
將單、又管模塊脫開(kāi)電路后,可采用測量場(chǎng)效應晶體管（MOS、FET）的方法來(lái)測試該模塊。MOSFET的柵-陰極間有一個(gè)結電容存在，由此決定了極高的輸入阻抗和電荷保持功能。對于IGBT，存在一個(gè)G、E極間的結電容和C、E極之間的結構電容，利用其G、E極之間的結電容的充電、電荷保持、放電特性，可有效檢測IGBT的好壞。
方法是將指針式萬(wàn)用表?yè)艿絉*10K檔，黑表筆接C極，紅表筆接E極，此時(shí)所測量電阻值近無(wú)窮大；搭好表筆不動(dòng)，用手指將C極與G極碰一下并拿開(kāi)，指示由無(wú)窮大阻值降為200KR左右；過(guò)一、二十秒鐘后，再測一下C、E極間電阻，仍能維持200KR左右的電阻不變；搭好表筆不動(dòng)，用手指短接一下G、E極，C、E極之間的電阻又重新變?yōu)榻咏鼰o(wú)窮大。
實(shí)際上，用手指碰一下C、G極，是經(jīng)人體電阻給柵、陰結電容充電，拿開(kāi)手指后，因此電容無(wú)放電回路，故電容上的電荷能保持一段時(shí)間。此電容上的充電電壓，為正向激勵電壓，使IGBT出現微導通，C、E極之間的電阻減??；第二次用手指G、E極時(shí)，提供了電容的放電通路，隨著(zhù)電荷的泄放，IGBT的激勵電壓消失，管子變?yōu)榻刂?，C、E極之間的電阻又趨于無(wú)窮大。手指相當于一個(gè)阻值為數KR級的電阻，提供柵陰極結電容充、放電的通路；因IGBT的導通需較高的正向激勵電壓（10V以上），所以使用指針式萬(wàn)用表R*10K檔（此檔位內部電池供電為9V或12V），以滿(mǎn)足IGBT激勵電壓的幅度。指針式萬(wàn)用表的電阻檔，黑表筆接內部電池的正極，紅表筆接內部電池的負極，因而黑表筆為正，紅表筆為負。這種測量方法只能采用指針式萬(wàn)用表。
對觸發(fā)端子的測量，還可以配合電容表測其容量，以增加判斷的準確度。往往功率容量大的模塊，兩端子間的電容值的電容值也稍大。
2）下面為雙管模塊CM100DU-24H和SKM75GB128DE及集成式模塊FP25R12KE3,用MF47C指針式萬(wàn)用表的R*10K檔測量出的數據。
CM200Y-24模塊：主端子C1,C2,E1,E2;觸發(fā)端子G1,E1,G2,E2;觸發(fā)后C、E極間電阻為250KR；用電容表200NF檔測量觸發(fā)端子電容為36.7NF,反測為50NF。
SKM75GB128DE模塊：主端子同上，觸發(fā)后C、E極間電阻為250KR；觸發(fā)端子電容：正測為4.1NF，反測為12.3NF。
FP25R12KE3集成模塊：也可采用上述方法，觸發(fā)后為C、E極間電阻為200KR左右；觸發(fā)端子電容正測為6.9NF,反測為10.1NF.
脫機測量得出的結果，基本上可判定IGBT的好壞，但仍不是絕對的。
在線(xiàn)測量或脫機測量之后的上電測量，才能最后確定模塊的好壞。上電后先空載測量三相輸出電壓，其中不含直流成分，三相電壓平衡后，再帶上一定負載，一般達到5A以上負載電路，逆變模塊導通、內阻變大的故障便能暴露出來(lái)。
